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首页 > 电容展示 > MKPH IGBT吸收保护电容器
MKPH IGBT吸收保护电容器

金属化聚丙烯薄膜卷绕而成,无感结构,阻燃塑料外壳封装。具有稳定性好、损耗小、自愈性好、频率特性好的特点,主要用于吸收IGBT开关所产生的尖峰电压,保护IGBT可靠运行。



技术参数
引用标准 GB/T 3984.1-2004、GB/T 3984.2-2004、IEC60110-1:1998、IEC TS 60110-2:2000
额定电压 2000VDC
容量范围 0.01μF-0.068μF
容量偏差 ±5%
损耗角正切值 tgδ≤0.0007(10KHz)
气候类型 25/105/21
耐电压 3000VDC/10s
绝缘电阻 C≤0.33μF:R≥15000MΩ
C>0.33μF:Rc≥5000s(100VDC 60s)
阻燃性 UL94V-0
脉冲能力 dv/dt>700v/μs
注:海拔使用高度超过4000m,应该考虑海拔对冷却和绝缘的影响。


常用规格 单位:mm
电压
(VDC)
容量
(μF)
W T H P d Irms
(A)
外壳形状
2000 0.01 26.5 7 16.5 22 1 4 平底立式
0.015 26 7.5 16.5 22 0.8 5 平底立式
0.022 25 8.5 17 22 0.8 5 平底立式
0.033 26 10 19 22 1 6 平底立式
0.047 26 10 20 22 0.8 6.5 平底立式
0.068 26.5 13 23 22 0.8 7 平底立式

注:以上参数仅做参考,以实际图纸为准。

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