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首页 > 电容展示 > DS阻尼突波吸收电容器
DS阻尼突波吸收电容器

广泛应用于DC-Link电路,作高频滤波和退耦用途。塑料外壳封装,阻燃环氧灌注,镀锡铜片引出,方便IGBT各种孔距安装,耐压高,损耗小(Tanδ),温升低,等效串联电阻小,可承受高脉冲电流和高dv/dt,可承受高频大电流。


技术参数
容量范围 0.47μF~2.5μF(25°C)
额定电压 1000VDC~2000VDC(25°C)
容量偏差 ±10%,±5%
电介质 金属化薄膜
损耗角正切 介质损耗:≤0.0002(1000Hz 25°C)
电容损耗:≤0.0015(100Hz 25°C)
时间常数 C≤0.33μF:Rc≥15000s
C>0.33μF:Rc≥5000s
(500VDC 25°C)
运行温度 -40°C~+85°C
存储温度 -40°C~+85°C
海拔高度 ≤2000m
预期寿命 100000h(Th≤70°C)
极间耐压 1.5Un/10s(25°C)
参考标准 IEC 61071-2007、GB/T 17702-2013、UL94V-0


常用尺寸 单位:mm
容量
(μF)
W T H P dv/dt
(v/μs)
Ip
(A)
Irms
100kHz
70°C
(A)
ESR
10kHz
(mΩ)
RESL
(nH)
Un=1000VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 1000 470 13 12.79 21
0.68 42.5 24.5 27.5 26 1000 680 17 8.84 23
1 42.5 33.5 35.5 26 900 900 21 6.01 20
1.5 42.5 30 45 26 900 1350 24 4.01 19
2 42.5 33 45 26 800 1600 29 3.01 16
2.5 42.5 33 45 26 800 2000 29 2.41 16
Un=1200VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 1200 546 13 11.06 21
0.68 42.5 33.5 27.5 26 1200 816 18 7.65 21
1 42.5 33.5 35.5 26 1100 1100 21 5.2 20
1.5 42.5 33 45 26 1100 1650 26 3.47 19
2 57.5 33 45 26 1000 2000 28 4.77 15
2.5 57.5 33 50 26 1000 2500 29 3.82 15
Un=1600VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 1300 611 14 9.77 22
0.68 42.5 33.5 65.5 26 1300 884 21 6.75 21
1 42.5 33 45 26 1200 1200 22 4.59 20
1.5 57.5 30 45 26 1200 1800 21 5.59 19
2 57.5 38 54 34 1100 2200 27 4.19 17
2.5 57.5 35 50 26 1100 2750 30 3.35 17
Un=2000VDC
0.47 42.5 33.5 35.5 26 1500 705 18 7.95 21
0.68 42.5 33 45 26 1500 1020 23 5.49 18
1 57.5 30 45 26 1400 1400 25 6.77 17
1.5 57.5 35 50 26 1400 2100 28 4.52 16
2 57.5 38 54 26 1300 2600 31 3.39 16
2.5 57.5 45 60 26 1300 3250 32 2.71 17

备注:可依需求制作特殊规格。

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