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首页 > 电容展示 > IGBT吸收电容器 方壳
IGBT吸收电容器 方壳

具有高纹波电流承受能力,高dv/dt,高频纹波吸收效果好,温升底,寿命长等优点,直接锁在大功率开关器件模块直流两极。产品广泛应用于UPS、逆变器、电焊机、电源、感应加热等设备的IGBT模块高频纹波吸引保护,尖峰电压钳位等场合。



技术参数
使用温度范围 -40℃~+85℃/+105℃
容量范围 0.1uF~4.7uF
额定电压 600VDC~3000VDC(50kHz)
电容量偏差 ±5%(J)、±10%(K)
损耗角下正切 tgδ≤0.0008(at 10kHz)
耐电压 1.75Un(60S)
绝缘电阻 CxRs≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
耐电流冲击能力 dv/dt>600v/us
阻燃性 UL94V-0
杂散电感 ≤20nH
有效电流 8A~20A
引用标准 IEC 61071、GB 17702.1


常用尺寸 单位:mm
容量
(μF)
W T H P ESR
(mΩ)
ESL
(nH)
dv/dt
(V/μs)
Ipk
(A)
Irms
70°C
100kHz
(A)
Un=1000VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 11 21 1000 470 14
0.68 42.5 24.5 27.5 26 8 23 1000 680 18
1 42.5 33.5 35.5 26 6 20 900 900 20
1.5 42.5 30 45 26 6 19 900 1350 25
2 42.5 33 45 26 5 16 800 1600 27
2.5 42.5 33 45 26 5 16 800 2000 27
Un=1200VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 11 21 1200 564 14
0.68 42.5 33.5 35.5 26 7 21 1200 816 19
0.75 42.5 24.5 45 26 7 21 1200 900 19
0.82 42.5 35 45 26 7 21 1200 984 20
1 42.5 35.5 45 26 6 20 1100 1100 20
1.5 42.5 45 50 26 4 19 1100 1650 25
2 57.5 45 50 26 3.3 15 1000 2000 27
2.5 57.7 50 54 26 3 15 1000 2500 28
Un=1600VDC
0.47 42.5 24.5 27.5 26 10 22 1300 611 15
0.68 42.5 33.5 35.5 26 7 21 1300 884 20
1 42.5 33 45 26 6 20 1200 1200 21
1.5 57.5 30 45 26 4 19 1200 1800 23
2 57.5 35 50 26 4 17 1100 2200 26
2 57.5 35 54 34 4 17 1100 2200 28
2.5 57.5 35 50 26 4 17 1100 2750 29
Un=2000VDC
0.47 42.5 33.5 35.5 26 10 21 1500 705 16
0.68 42.5 33.5 35.5 26 7 20 1500 1020 20
0.68 42.5 33 45 26 6 18 1500 1020 21
0.82 42.5 33 45 26 5 17 1400 1400 22
1 57.5 30 45 26 5 17 1400 1400 24
1.5 57.5 35 50 26 4 16 1400 2100 27
2 57.5 38 54 26 4 16 1300 2600 30
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