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首页 > 电容展示 > CS1半导体瓷介电容器
CS1半导体瓷介电容器

该类电容器具有较高的介电常数,用于超高频,甚高频电路中作宽带旁路耦合之用,具有介电常数高、体积小、容量大、更经济的特点,适用于小型化电路中。

常用尺寸 单位:mm
额定电压 尺寸 温度特性
D(max) T(max) F 3B 3E 3F
16V 6.3 4 5 - 100000 100000
8 4 5 - 150000 220000
25V 6.3 4 5 15000 47000 100000
8 4 5 33000 100000 220000
10 4 5 100000 220000 -
50V 6.3 4 5 22000 22000 68000
8 4 5 33000 33000 100000
10 4 5 68000 100000 220000

说明:尺寸如有改变不另行通知,请向我们查询最新尺寸。

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