CS1半导体瓷介电容器
该类电容器具有较高的介电常数，用于超高频，甚高频电路中作宽带旁路耦合之用，具有介电常数高、体积小、容量大、更经济的特点，适用于小型化电路中。
| 常用尺寸 | 单位：mm |
| 额定电压 | 尺寸 | 温度特性 | ||||
| D(max) | T(max) | F | 3B | 3E | 3F | |
| 16V | 6.3 | 4 | 5 | - | 100000 | 100000 |
| 8 | 4 | 5 | - | 150000 | 220000 | |
| 25V | 6.3 | 4 | 5 | 15000 | 47000 | 100000 |
| 8 | 4 | 5 | 33000 | 100000 | 220000 | |
| 10 | 4 | 5 | 100000 | 220000 | - | |
| 50V | 6.3 | 4 | 5 | 22000 | 22000 | 68000 |
| 8 | 4 | 5 | 33000 | 33000 | 100000 | |
| 10 | 4 | 5 | 68000 | 100000 | 220000 | |
说明：尺寸如有改变不另行通知，请向我们查询最新尺寸。
