CS1半导体瓷介电容器

该类电容器具有较高的介电常数,用于超高频,甚高频电路中作宽带旁路耦合之用,具有介电常数高、体积小、容量大、更经济的特点,适用于小型化电路中。
常用尺寸 | 单位:mm |
额定电压 | 尺寸 | 温度特性 | ||||
D(max) | T(max) | F | 3B | 3E | 3F | |
16V | 6.3 | 4 | 5 | - | 100000 | 100000 |
8 | 4 | 5 | - | 150000 | 220000 | |
25V | 6.3 | 4 | 5 | 15000 | 47000 | 100000 |
8 | 4 | 5 | 33000 | 100000 | 220000 | |
10 | 4 | 5 | 100000 | 220000 | - | |
50V | 6.3 | 4 | 5 | 22000 | 22000 | 68000 |
8 | 4 | 5 | 33000 | 33000 | 100000 | |
10 | 4 | 5 | 68000 | 100000 | 220000 |
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